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2026-10-08
中国粉体网讯 高纯石英被誉为信息技术产业的“工业基石”。传统天然石英受矿源禀赋限制,晶格杂质、气液包裹体很难彻底去除,难以满足半导体、航天等极致严苛的使用条件。人工合成石英跳出矿产资源的枷锁,实现纯度、粒径、掺杂的定制化调控,正在成为国产高端材料突围的重要方向。
高纯合成石英制备
溶胶-凝胶法
溶胶-凝胶法是指将无机硅盐或硅烷氧化物与其他原料在液相里混合均匀,通过水解、缩合等反应在溶液中形成稳定的溶胶体系,再通过陈化,胶粒聚合,形成三维致密网络结构的SiO2凝胶,最后经老化、干燥、烧结、固化等过程得到高纯石英粉产品。

溶胶-凝胶法制备气相二氧化硅基超高纯石英粉的合成工艺流程
溶胶-凝胶法制备的SiO2具有产品纯度高、可调控羟基含量与元素掺杂、低温制备成本低、易合成单分散球形颗粒等优势,但仍存在诸多问题:残余碳难以除净易产生黑斑、颗粒易团聚形成孔洞、烷氧基硅烷原料成本高且有害、反应周期长不利于工业化。
化学气相沉积法
化学气相沉积法是指硅前驱体在氢氧燃烧生成的水中进行高温水解反应,然后经过骤冷、聚集、脱酸等工艺形成无定形SiO2,最后通过沉积等后处理制备出超高纯石英产品。
CVD法合成的高纯石英具有金属杂质总量小于2×10-6、无颗粒缺陷、气泡较少、光学均匀性好、羟基含量较低等优势,但此工艺仍面临着沉积效率较低、利用率低、有机硅前驱体成本高、容易造成环境污染等问题。
水热合成法
水热法合成纳米高纯石英的基本原理是高温高压碱性NaOH环境下,化学无定形氧化硅前驱体溶解生成可溶性硅组分,液相过饱和后直接析出α石英晶核完成结晶;反应后经透析除碱、过滤离心分级、干燥除水、分离晶体与残液,最终得到高纯二氧化硅纳米石英。
水热法合成的石英具有高纯、高比表面积和结构均匀且良好的机械强度和低渗透性,适用于各种模板材料;然而,工艺控制较为复杂,容易导致晶粒聚集和结晶缺陷,从而对产品的质量和性能造成影响。
四氯化硅液相水解法
四氯化硅液相水解法的原理是SiCl4与纯水接触发生水解或缩聚反应,之后将反应产物经洗涤、过滤、干燥、煅烧、筛选等流程,制备SiO2粉体。
采用SiCl4液相水解法制备高纯石英粉,由于原料中不含碳,故制备得到SiO2粉体纯度较高、羟基含量较低。但是,在规模化生产过程中,四氯化硅与水发生的水解和缩聚反应剧烈,中间过程难以管控,粉体易团聚,形成的石英粉致密度较低。因此,为了满足产业化生产,该法仍需更深入地探究其工艺控制(如水解控制、干燥及烧结过程等),有效减少颗粒团聚现象的发生。
高纯合成石英应用
国内高纯石英产能结构性分化明显:3N-4N5光伏外层砂低端产能过剩、市场竞争激烈;4N8光伏内层、光纤级中高端产能稳步释放,国产化水平持续提升;5N及以上半导体级超高纯石英产能紧缺,高端产品仍高度依赖海外进口。行业产能高度集中于石英股份、菲利华、长飞石英等龙头企业,新增产能普遍面向光纤、半导体等高附加值领域布局。
半导体领域
据《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》,第三代半导体材料被视为强化国家战略科技力量的重要部分。在半导体制造领域,从单晶硅棒长晶到氧化扩散、从刻蚀到清洗、从测试到封装等环节,石英材料几乎贯穿了整个半导体制造流程。

超高纯石英在半导体领域的应用
合成石英砂及其制品凭借高纯度、无气泡、无包裹体颗粒、高紫外透过率等特点,逐渐在先进制程中,替代传统天然石英材料,能显著改善良率并提高使用寿命。主要产品为刻蚀环、石英穹顶、炉管、清洗槽、紫外固化窗、先进封装载体等。
光学领域
随着光刻机、高功率激光器、低膨胀光学镜片等领域的迅速发展,光学行业对石英玻璃的材料性能提出了极高的标准。
合成石英砂的超高纯度及与各种熔制工艺的适配性,使其熔制的石英玻璃具有极高的光透过率、折射率均匀性、低应力双折射等特性,满足各类应用场景下对光传输质量、光学均匀性等性能的要求,极具应用前景。
光伏领域
高纯石英是光伏直拉单晶的核心基材,光伏领域纯度要求集中在4N5-4N8,虽然低于半导体6N级别,但对碱金属杂质控制十分严格。
天然提纯石英矿石内部普遍存在流体、固体包裹体,高温环境容易起泡,造成坩埚析晶变形。人工合成高纯石英不存在原生包裹体缺陷,性能优势突出。能有效减少杂质对晶体生长的干扰,提升单晶硅的转化效率和转化使用寿命。
小结
天然石英受矿源禀赋约束,很难稳定满足半导体、航天等极致严苛的指标,人工合成路线跳出矿产资源枷锁,实现纯度、粒径、掺杂的定制化调控。随着国内合成工艺持续迭代,合成石英将加速推进高端材料国产化替代,支撑我国新一代信息技术产业不断向前发展。
参考来源:
陈堰梅等.超高纯石英人工制备技术与应用现状
石悦、花宁等.合成石英砂制备及应用研究进展
吴慧明.合成石英在半导体行业数字化转型中的机遇与挑战
李爱民等.高纯合成石英的制备技术和应用
(中国粉体网编辑整理/九思)
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